1前言

半导体膜是指由半导体材料形成的薄膜。随着制备半导体薄膜的技术不同，在结构上可分为单晶，多晶和无定形薄膜。半导体材料是微电子和光电子器件的主要材料，特别是大规模集成电路芯片上元件的集成度越来越高，元件的尺寸越来越小，半导体薄膜是构成这类器件的基本材料 。我们选择一种半导体薄膜材料，探索最适合的消解参数，有利于后续对多种无机元素的快速准确测定。

2仪器与试剂

2.1 仪器

新仪MASTER-18微波消解仪，赶酸器，分析天平(十万分之一)等。

2.2 试剂

硝酸(68%)，氢氟酸（40%）

3实验方法

精确称取半导体薄膜材料50mg（精确至0.1mg），缓慢滴加8mL硝酸（剧烈反应，释放气体），静置10min左右，待无明显反应后，补加2mL氢氟酸，组装消解罐，按照如下设置参数进行实验：

实验结束后，待冷却至60℃以下，取出消解罐转移至通风橱中缓慢打开，赶酸稀释后，样品可完全消解至澄清透明状态。

4结果

实验选取的半导体薄膜材料样品，取样为50mg，加入硝酸静置后，补加氢氟酸，最高实验温度210℃，保温40min左右，样品可完全消解。

5注意

1）添加氢氟酸进行实验后，需进行赶酸处理，防止氢氟酸对玻璃器皿造成腐蚀，也可能会对实验结果造成影响。

2）添加硝酸后样品反应剧烈，实验过程中应缓慢加入或者分多次加入硝酸，同时实验人员需做好防护。